Микрополосковый метод исследования диэлектрической проницаемости материалов на сверхвысоких частотах

Что означает Микрополосковый метод исследования диэлектрической проницаемости материалов на сверхвысоких частотах и что это такое? В разделе Радиоэлектроника дан подробный ответ и объяснение на вопрос.

Здесь выложено готовое сочинение на тему Микрополосковый метод исследования диэлектрической проницаемости материалов на сверхвысоких частотах, которое вы так же можете использовать как реферат.

Эту, поверенную нами работу, вы можете скачать бесплатно перейдя по ссылке, но если вам необходима другая готовая работа по данному предмету, например реферат или изложение, доклад, лекция, проект, презентация, эссе, краткое описание, биография писателя, ученого или другой знаменитости, контрольная, самостоятельная, курсовая, экзаменационная, дипломная или любая другая работа, с вашими индивидуальными требованиями, напишите нам и мы договоримся.

Наша небольшая команда бывших и действующих преподавателей и авторов со стажем работы от 5-ти лет всегда вам поможет. Всего нами написано и проверено более 10 000 различных работ на образовательные темы. С нами вы получите действительно качестенный материал с уникальным текстом и обязательно хорошую оценку. Удачи в учебе!

Н.А. Малков, С.В. Мищенко

Микрополосковый метод (МП) измерения диэлектрических параметров обладает высокой чувствительностью и позволяет полностью перекрыть частотный диапазон на стыке дециметровых и сантиметровых длин волн (где измерительные ячейки с распределёнными параметрами имеют неприемлемо большие габариты)

Он основан на регистрации полюса затухания на амплитудно-частотной характеристике (а.ч.х.) многозвенной микрополосковой измерительной ячейки.

Положение и глубина полюса затухания определяется соответственно диэлектрической проницаемости и тангенсом угла диэлектрических потерь материала подложки, а также геометрией металлических полосок.

Исследовалась измерительная ячейка а.ч.х., которой наблюдались «окна прозрачности» вблизи частот, кратных полуволновому резонансу в отрезках м.п. линий, а полюса затухания - на частотах, где индуктивное и ёмкостное взаимодействие отрезков м.п. линий компенсируют друг друга.

Обнаружено, что диэлектрическая проницаемость подложки . А.ч.х. рассматриваемой измерительной ячейки имеет лишь один полюс затухания, причём он располагается на частоте, всегда ниже частоты полуволнового резонанса.

А.ч.х. измерительной ячейки имеет открытый максимум, характерный для подобных схем, что позволяет определять частоту полюса затухания с высокой точностью. Как показывают исследования, частота полюса и величина затухания СВЧ-мощности в нём зависят от всех параметров микрополосковой секции.

При этом в качестве параметра сравнения, характеризующего чувствительность метода, не только значение относительного сдвига полюса затухания в зависимости от изменения подложки, но и точностью измерения частоты , зависящей от «остроты» полюса. Здесь «острота» полюса оценивается отношением f к ширине а.ч.х. по уровню 3 Дб от уровня максимальных потерь.

Из анализа полученных данных были установлены следующие закономерности. Чувствительность почти не зависит от длины полосок и не изменяется при варьировании ширины полосок, но монотонно возрастает с увеличением отношения (расстояния между полосками и толщиной подложки), оставаясь, однако, даже при малых значениях не меньше, чем в резонаторном методе.

Подобные материалы

Тонкопленочные элементы интегральных схем
МИРЭА(ТУ) РЕФЕРАТ НА ТЕМУ: ТОНКОПЛЕНОЧНЫЕ ЭЛЕМЕНТЫ ИНТЕГРАЛЬНЫХ СХЕМ Работы выполнил: Семенов Д.А.
Автоматизированное проектирование СБИС на базовых матричных кристаллах
РЕФЕРАТ НА ТЕМУ АВТОМАТИЗИРОВАННОЕ ПРОЕКТИРОВАНИЕ СБИС НА БАЗОВЫХ МАТРИЧНЫХ КРИСТАЛЛАХ
Навигационные комплексы Гланасс и Новстар
Содержание Введение 3 1. Обзор существующих методов решения задачи синхронизации шкал времени
Электрические приемники: классификация, основные виды
СОДЕРЖАНИЕ 1 КЛАССИФИКАЦИЯ ПРИЕМНИКОВ ЭЛЕКТРИЧЕСКОЙ ЭНЕРГИИ И ИХ ОБЩИЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ 2 1.1
Радиоматериалы и радиокомпоненты
Министерство общего и профессионального образования Российской Федерации ТОМСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ