Усилительные каскады в области высоких частот

Что означает Усилительные каскады в области высоких частот и что это такое? В разделе Схемотехника дан подробный ответ и объяснение на вопрос.

Здесь выложено готовое сочинение на тему Усилительные каскады в области высоких частот, которое вы так же можете использовать как реферат.

Эту, поверенную нами работу, вы можете скачать бесплатно перейдя по ссылке, но если вам необходима другая готовая работа по данному предмету, например реферат или изложение, доклад, лекция, проект, презентация, эссе, краткое описание, биография писателя, ученого или другой знаменитости, контрольная, самостоятельная, курсовая, экзаменационная, дипломная или любая другая работа, с вашими индивидуальными требованиями, напишите нам и мы договоримся.

Наша небольшая команда бывших и действующих преподавателей и авторов со стажем работы от 5-ти лет всегда вам поможет. Всего нами написано и проверено более 10 000 различных работ на образовательные темы. С нами вы получите действительно качестенный материал с уникальным текстом и обязательно хорошую оценку. Удачи в учебе!

МОСКОВСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ ИНСТИТУТ

ЭЛЕКТРОНИКИ И МАТЕМАТИКИ

(технический университет)

Кафедра Электроники и электротехники

Доклад

Тема: “ Усилительные каскады в области высших частот”

Студент:

Андриатис Ю.А.

группа АП-52

Преподаватель:

Ушаков В.Н.

МОСКВА 1999

Усилительный каскад на биполярном транзисторе.

EK

R1 RK РИС 1. ПРИНЦИПИАЛЬНАЯ СХЕМА

УСИЛИТЕЛЬНОГО RC - КАСКАДА

Cк НА БИПОЛЯРНОМ ТРАНЗИСТОРЕ

ВЫХОД

IBX

C

RH Uвых

ВХОД CЭ

R2 RЭ IBЫX

Рассматривая работу RC-каскада в области высоких частот мы можем принебречь влиянием емкости Ск, так как с возрастанием частоты входного сигнала сопротивление емкости Ск становится малым по сравнению с сопротивлением Rн. Пренебрегать емкостью С(суммарная паразитная емкость каскада) в области высоких частот нельзя.

РИС 2. УПРОЩЕННАЯ ЭКВИВАЛЕНТНАЯ СХЕМА УСИЛИТЕЛЬНОГО КАСКАДА

НА БИПОЛЯРНОМ ТРАНЗИСТОРЕ В ОБЛАСТИ ВЫСШИХ ЧАСТОТ

I б IBЫX

rвхRkC RH U вых

h21эIб

Из схемы находим:

Z k = (Rk || Rн)|| 1 = (Rk || Rн) * (1 / jw вС) =

(jw вС) (Rk || Rн) + (1 / jw вС)

= (Rk || Rн) = (Rk || Rн)

1 + jw вС(Rk || Rн) 1 + jw вt в

где t в = С(Rk || Rн) - постоянная времени нагрузочной цепи

(Rk || Rн)

U 2 = h21эIбZ k = h21эIб 1 + jw вt в U 1 = Iбrвх

U 2 (Ku)0

(Ku)в = =

U 1 1 + jw вt в

На высших частотах происходит не только усиление сигнала но и появляется дополнительный фазовый сдвиг выходного сигнала относительно входного поэтому это выражение разбивается на два:

1

(Ku)в =

√ 1 + (w вt в)2

tg φв = – w вt в

В области высших частот характеристика будет иметь завал:

Kв φв

K0t 1t 2 f(w )

f(w )

t 2 > t 1

Равномерность частотной характеристики зависит от С. Чем меньше С тем характеристика лучше (более равномерна).

Вообще избавиться от паразитной емкости – С невозможно. Ее можно только уменьшить за счет рационального конструирования.

Кроме того на значение паразитной емкости влияет входная емкость следующего каскада и для ее уменьшения надо подключать к каскаду электронные устройства с минимальной входной емкостью.Например: эмиттерный повторитель.

Подобные материалы

Проектирование бесконтактного магнитного реле
10 0.130 6 0.136 3 0.142 2 0.148 1 0.155 0 0.17 -0.672 0.207 -1 0.24 -1.25 0.278 -1.31 0.29 -1.5
Дослідження логічних елементів емітерно-зв’язаної логіки
Мнстерство Освти та Науки Украни ДНПРОПЕТРОВСЬКИЙ НАЦОНАЛЬНИЙ УНВЕРСИТЕТ Радофзичний факультет
ЭТПиМЭ
С О Д Е Р Ж А Н И Е Ч а с т ь 1 1.1. Упрощение логических выражений. 1.2. Формальная схема
Измерение потерь в дроссе
Московский Энергетический Институт (технический университет) кафедра ЭИ Курсовая работа По теме:
Полупроводниковые датчики температуры
МОСКОВСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ УНИВЕРСИТЕТ ГЕОДЕЗИИ И КАРТОГРАФИИ КУРСОВАЯ РАБОТА ПО СХЕМОТЕХНИКЕ ТЕМА: